AMD
及Intel
的新一代平台已经支持了DDR5
内存，双通道的带宽轻松超过50GB/s
，高频版的逐渐逼近100GB/s
，然而这个性能跟HBM3
内存比起来还是小巫见大巫，三星已经研发了新的HBM3
内存，带宽轻松超过1024GB/s
。JEDEC
组织今年初发布了HBM3
的标准，继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级，其中传输数据率在HBM2
基础上再次翻番，每个针脚(pin)
的传输率为6.4Gbps
，配合1024-bit
位宽，单颗最高带宽可达819GB/s
。三星研发的新一代
HBM3
内存阵脚速率更高，达到了8Gbps/pin
，堆栈4
颗的情况下带宽轻松达到1024GB/s
，是DDR5
内存的十几倍。另外，频率越高的话出错也更多，为此三星还有更强的内存纠错功能， 每个
HBM
内存芯片都内置了1
组ECC
纠错电路 ，确保数据准确性。三星的
HBM3
内存没有公布何时上市，不过真要应用的话应该也会首先用于数据中心显卡及处理器上，消费级平台使用的可能性不大，毕竟HBM3
的成本是普通用户无法承受的。
【来源：快科技】【作者：宪瑞】
