CPU放大图
第1步 硅提纯
沙子是制造半导体的基础。把沙子中的硅进行分离，再经过多个步骤进行提纯，得到一个大约200斤几近完美的单晶
第2步 切割晶圆
圆柱体切成片状，这些被切成一片一片非常薄的圆盘就是晶圆。
第3步 影印
也就是涂抹光阻物质。晶圆不停地旋转，以使蓝色液体均匀涂在它上面。
第4步 蚀刻
制造CPU的门电路。上面有设计好的各种电路，通过照射把它们印在晶圆上。
第5步 重复 分层
重复多遍，形成CPU的核心。为了加工新的一层电路，再次重复上面的过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构，这个3D的结构才是最终的CPU的核心。
每几层中间都要填上金属作为导体，根据CPU设计时的布局以及通过的电流大小不同，层数也会不一样。
CPU的制作工艺是朝着高密度的方向发展，像这个CPU的制作工艺是22nm。CPU制作工艺的纳米数越小，意味着同等面积下晶体管数量越多，工作能力越强大，相对功耗就越低，更适合在较高的频率下运行，所以也更适合超频。
多金属层是建立各种晶体管的互联，如果我们把芯片放大数万倍，可以看到它的内部结构复杂到不可思议，是不是有点像多层高速公路系统。
第6步 封装
将晶圆封入一个封壳中。把内核跟衬底、散热片堆在一起，就是我们熟悉的CPU了。
第7步 多次测试
测试是CPU制作的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。最后一步是测试CPU的电气性能，分级确定CPU的最高工作频率，根据稳定性等规格制定价格。然后放进不同的包装，销往世界各地。
CPU放大
3 dmax放大图放的慢 ，是因为电脑本身内存小，CPU的处理速度太慢造成，还有硬盘的速度也慢 。只要把上面的三个问题解决了 3 dmax放大图就不会特别慢了 。
cpu内部放大图
不是，主流的英特尔处理器会有20亿个晶体管，高端产品可以达到60亿个，一个个的链接方法不现实，所以采用光刻蚀技术。
光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。
这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。
刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。
每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。
设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步（每一步进行一层刻蚀）。
而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂。
当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。
短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。
通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。
cpu芯片放大
芯片的速度等级决定于芯片内部的门延时和线延时，这两个因素又决定于晶体管的长度L和容值C，这两个数值的差异最终决定于芯片的生产工艺。怎样的工艺导致了这一差异，我还没找到答案。
2. 在芯片生产过程中，有一个阶段叫做speed binning。就是采用一定的方法、按照一组标准对生产出来的芯片进行筛选和分类，进而划分不同的速度等级。“测试和封装”应该就包含这一过程。
3. 速度等级的标定不仅仅取决于芯片本身的品质，还与芯片的市场定位有很大关系，返修概率和成本也是因素之一。
4. 芯片的等级可以在测试后加以具体调整和改善，在存储器芯片的生产中这一技术应用很广泛。
5. 芯片生产的过程是充满各种变数的，生产过程可以得到控制，但是控制不可能精确到一个分子、一个原子，产品质量只能是一个统计目标。同一个wafer上的芯片会有差异，即使是同一芯片的不同部分也是有差异的。速度等级是一个统计数字，反映了一批芯片的某些共同特性，不代表个别芯片的质量。而且由于某些芯片的测试是抽样进行的，也不排除个别芯片的个别性能会低于标定的速度等级。不过，据说FPGA的测试是极严格的，很可能我们拿到手的芯片个个都经过了详尽的测试。这也是FPGA芯片价格高于普通芯片的原因。
6. 同一等级的芯片中的绝大多数，其性能应该高于该速度等级的划分标准。这也是为什么在FPGA设计中，有少许时序分析违规的设计下载到芯片中仍然能够正常运行的原因（时序分析采用的模型参数是芯片的统计参数，是最保守也是最安全的）。不过，由于同一等级的芯片仍然存在性能差异，存在时序违规但是单次测试成功的FPGA设计不能确保在量产时不在个别芯片上出现问题（出了问题就要返修或现场调查，成本一下子就上去了）。所以，还是要把时序收敛了才能放心量产，这就是工程标准对产品质量的保证。
7. 概率和统计学源于工程实践，对工程实践又起到了巨大的指导作用。工程实践中的标准都是前人经验教训的积累，是人类社会的宝贵精神财富。
8. 现实世界是模拟的，不是数字的。在考察现实问题时，我们这些数字工程师和软件工程师应该抛弃“一是一、〇是〇”的观念，用连续的眼光看待这个连续变化的真实世界。
9. 芯片生产过程中的不确定性导致了芯片的性能差异，这一差异影响了芯片的价格，价格和性能的折中又影响了我们这些FPGA设计工程师在器件选型、设计方法上的决策，我们生产的产品的性价比决定了产品的销售，产品的销量又决定了芯片的采购量，采购量又影响了芯片的采购价格...。原子、分子级别上的差异，就这样一级一级地传递和放大。
cpu放大10000倍的图
苹果历代cpu性能对比
1、截止至最新的iPhone XS上搭载的A12，从iPhone 4首次搭载A4处理器开始，目前已经有9代的苹果A系列处理器；
2、A4是一颗45nm制程的ARM Cortex－A8的单核心处理器,GPU为PowerVR SGX 535，L2的缓存为640KB，在同等频率下性能表现好于三星S5PC110，但是其核心的结构和此前使用的三星处理器十分相似，仅仅是主频升高，核心的CPU架构方面没有什么变化；
3、A5是第一款苹果设计的双核处理器芯片，号称 CPU 的是初代 iPad 的两倍，GPU 是初代的 9 倍；采用了支持多核心的Cortex-A9架构处理器同时搭配Powervr SGX543图形芯片；A5X是其性能的加强版，图形处理器采用的是四核心，用于第三代iPad，图形处理能力为iPad 2上的两倍；
4、A6由苹果旗下的子公司Intrinsity设计、三星代工制造，采用了独特架构设计，性能介乎于Cortex-A9和Cortex-A5之间，基于32nm工艺制程；能够动态调整CPU电压/频率特性；GPU集成的是一颗三核心的PowerVR SGX 543MP3图形处理单元，性能是A5的两倍多；和A5一样，A6X是专为iPad推出，在CPU主频上提高，GPU更换成SGX554MP4，拥有四核心；
5、A7采用的是全新的64位设计，使用Arm－v8 64位指令集，自家的Cyclone架构；A7处理器的性能比iPhone 5上的A6快2倍，是初代iPhone上使用的处理器的40倍，图形能力是初代的56倍。此外还开始搭载协处理芯片M7，专门负责计算手机的各项传感器数据，并且可以保持极低的功耗；
6、A8采用了最先进的20nm工艺制造（台积电代工），面积更小巧，能耗比更为出色，也同时继承了专门的M8运动协处理器；相比于A7，A8在CPU性能提升25%，图形性能提高了50%；A8X集成多达30亿个晶体管，介于NVIDIA GK104 35亿个、GK106 25亿个之间，在CPU上采用三核心设计比A7提升了40%，2GB的内存，GPU型号为PowerVR GX6850；
7、A9处理器拥有双版本和代工厂，6s为APL0898，封装的是三星2GB LPDDR4 RAM由三星代工，14nm；6s Plus 的 A9 处理器型号为APL1022 ，封装的是海力士 2GB LPDDR4 RAM，由台积电代工，16nm；A9是A8性能的130%，单核的跑分为2526分，多核为4404分；A9X回到双核心设计，GPU采用6个GPU单元，总共12个GPU核心，用有384个流处理器；
8、A10内核上的编号为TMGK98，延续了A9 TMGK96，而核心面积大约125平方毫米，封装使用了台积电最新的InFO技术；A10 Fusion性能是第一代iPhone芯片的120倍，比iPhone 6s中的A9提升40%。同时这是A系列的首个四核处理器，采用的是两个大核和两个小核的设计； 高性能核心的运行速度最高可达iPhone 6 的2倍，而高能效核心在运行时的功率则可低至高性能核心的五分之一；
9、A11采用台积电最先进的10nm工艺制程，采用六核心的设计，大河性能相比A10提升25%，4颗小核相较A10提升70%，多性能处理提升75%；搭载的GPU是苹果自研的三核心 GPU ，性能较 A10 性能提升 30%，而功耗则降低了 50%；首次搭载神经网络引擎，用于AR和图像识别；
10、A12的处理器采用最新的7nm的制程，使用的是苹果自研Fusion架构，均为2(性能核心，性能提升15%)+4(能效核心，功耗表现提升50%)；GPU采用新一代自研GPU，核心从三核升级到四核，官方性能提升了50%；神经网络从双核升级为八核能够实现50000亿次计算次数；根据苹果的数据，2个大核提升15%，4个小核功耗表现提升50%；采用了新一代自研GPU，核心数升级为4核，性能提升50%
芯片放大图
ta2022芯片是一种数字功率放大芯片，电源电压范围为VPP：+23.6V-+36V；VNN；-22.4V—-36.6V，输出功率可达200瓦。
TA2022是Tripath生产的模拟输人立体声集成化调制器和输出级，其调制器采用扩频开关模式。而不是固定的频率。因此被称为“T”类放大器。
该器件输出级以双电源供电，电源电压范围为VPP：+23.6V-+36V；VNN；-22.4V—-36.6V。每个通道在4Ω负载上输出可达100W功率。在25W时具有0.015％THD，60W时上升至0.1％。
具备抑制开通、关断噪声、中点电压调节、直流偏移保护、过压和欠压保护。过流保护、静音指示等功能。
当接成BTL方式时可输出200W功率
cpu内部结构放大
原因及解决方法：
第一种、我们常用的杀毒软件会对网页、插件等进行监控，这样就增大了系统负担，自然也就会造成cpu使用率高。
解决方法:对于杀毒软件占有cpu，这时没办法的，总不能自己在制作一个更牛的杀毒软件吧，所以只能通过使用最少的监控服务以及升级自己的硬件设备。
第二种、驱动不达标，现在人们使用的驱动有几大一部分是属于测试版的驱动，这一类驱动并不合格，它可以造成CPU100%的使用率，而且不容易发觉。
解决方式:在选择驱动时，要特别注意，最好使用微软官方发布的驱动，并核对型号、版本。
第三、病毒木马，这个相信不说大家也知道，病毒在系统内部复制，必然造成极高的cpu占有率;
解决方法：首先利用杀毒软件查杀、清理本地硬盘，并查看有无异常启动的程序，在这里笔者要提醒各位，要加强防毒意识，经常性的更新升级杀毒软件。
第四、网络链接，这是最直接的客观原因，主要是网络连接不稳定。
解决方法：检查路由器、网卡等，如果不稳定就要暂时性的休息，而后再重开。
第五、启动项太多，一般来说开机启动项过多，就会增加cpu的使用率，增加其荷载。
解决方法：通过人工操作，将不需要的启动项关闭，具体方式为：点击开始——运行——输入msconfig——关闭不需要的启动项。
cpu放大图片
cpu没有开发者选项，一般有这个选项的是手机或者平板。手机开通开发者选项的方法：
1，首先打开设置，下滑找到关于手机。
2，然后点击“关于手机”，进入该选项卡。
3，持续点击版本号，直到屏幕上显示您已处于开发者模式等字样。
4，最后退出关于手机选项卡，看见新出现的开发者选项功能。
电脑芯片放大图
第一名：华为海思
说到国内芯片制造商，我们不得不谈论华为。华为的主要芯片设计和研发中心是由华为集成电路设计中心转变为海思半导体的。目前，华为的大部分手机和平板电脑芯片都使用独立开发的麒麟芯片，华为自己开发的CPU也开始在笔记本电脑上使用。海思还有其他系列芯片，如巴龙芯片、昇腾芯片鲲鹏芯片。总的来说，华为的海思综合实力确实很强，毫无疑问在众多国内芯片制造商中排名第一。
第二名：清华紫光
清华紫光是30年前清华大学成立的校办企业。现已成为中国最大的综合性集成电路企业，也是世界第三大手机芯片企业。拥有世界先进的集成电路开发技术，在企业IT服务细分领域排名中国第一，世界第二。
第三名：豪威科技
豪威科技简称OV，是一家专注于电子影像处理的芯片技术企业。提供简单、完备的影像传感器及复杂的影像处理电路和主机视频接口集成到单芯片上的解决方案。主要的技术是以手机和平板的照相处理为主，在中国大陆几乎所有手机工厂和设计公司都是豪威科技的客户。
第四名：中兴微电子
中兴微电子是中兴旗下的芯片研制企业，于2003年成立的芯片研制中心，主要服务对象自然是中兴。其芯片大部分涉及监控芯片和路由器等领域，拥有很多的技术专利。
第五名：中电华大
2002年成立的中电华大，是专业从事智能卡和WIFI芯片设计的综合性IC设计企业，其芯片的范围涉及笔记本电脑，数字电视和多媒体网关、机顶盒、工业控制等设备，经过多年经验和技术积累，华大电子在多种产品领域占有中国较高市场份额，得到了用户的肯定和支持。
第六名：长电科技
长电科技成立于1972年，主要从事半导体芯片及集成电路封装，从事分立器件，集成电路封装的研制。
第七名：中芯国际
中芯国际是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业。成立于2000年，其服务方式是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。当下，长电科技在全球拥有二万三千多名员工，在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，在逾23个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。
第八名：中环半导体
它的前身是1969年组建的天津市第三半导体器件厂，在1999年，中环半导体成立，主要业务有高压器件、功率集成电路、单晶硅和抛光片。公司现有专利技术14项，专有技术200多项，形成了一系列自主知识产权。
第九名：纳思达
纳思达专业致力于打印显像行业，是全球最大的打印耗材制造商之一立足中国，全球性经营。作为国内掌握通用耗材芯片技术的企业之一，成像和输出技术解决方案以及打印管理服务的全球领导者。
第十名：南瑞智芯
北京南瑞智芯微电子科技是国家电网公司全资产公司，专注于智能电网安全、集成电路设计和铁路设备安全的高技术产业公司。多次获得北京市及国家级别科研奖项。自成立之初，以专业的技术、优质的服务，为产品客户提供最优质的产品体验。
主板放大图
(1)跳线插错了. 在5个要插的跳线当中,有2个(硬盘灯,重起灯)是有极性的,如果这个插反了,就会烧坏主板或者是硬件.
(2)如果不小心 ,在装机的时候,有一些金属没注意好,挂在主板上,在机器点亮的时候。就会烧坏主板了.或者是机器正在运行.一不小心,将水弄进去了(当然这种情况可能性很少).
(3)滤波电容烧坏.虽然仅仅是个电容,但电容在主板中主要用于保证电压和电流的稳定(起滤波作用)。我们更不要忽视.因为我们知道它的作用了,可想而知,电容对主板的影响(电压和电流对主板的影响).
(5)电源的质量也不得不考虑一下,如果电压和电流不稳定，主板也将会受到很大的影响.直接造成电路的烧坏.
(6)灰尘过多或者遇潮湿而引发的短路,造成电路,主板烧坏也可能.(自己的东西,要多定期清理噢!)
(7)超频,如果超频也会使主板的负载量增大,如果,超过了极限,它也会烧坏的.不过现在的硬件设备发展蛮快的,超频已经成为 过去了.
(8)主板自身的质量存在问题.那就是无力回天.
cpu内部结构放大图
电子元器件中晶体管是一种半导体器件，常用的是放大器或电子控制开关。晶体管是调节计算机、移动电话和所有其他现代电子线路运行的基本构件。由于晶体管的快速响应和高精度，它可以用于各种数字和模拟功能，包括放大、开关、稳压、信号调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以在很小的区域内封装，可以容纳1亿或更多晶体管集成电路的一部分。因此，本文将详细介绍CPU中有多少个晶体管？
历代CPU晶体管的数量
摩尔定律，也就是说，当价格保持不变时，集成电路上可容纳的晶体管数量每18个月增加一倍，性能提高一倍。当然，这只是一种推测性理论，而不是一种自然理论。但根据过去40年来CPU发展的历史，这一理论接近精确。
2000年，奔腾4威拉米特，生产工艺为180nm，cpu晶体管数量为4200万。
2010年推出的Corei7≤980X，制作工艺为32 nm，晶体管数量为11亿6999万9999个。
2013核心i7 4960X，制造工艺为22 nm，晶体管计数为18.6亿。
有关近年来CPU的详细数据
1999年2月：英特尔发布奔腾III处理器。Pentium III是一种1×1平方硅，有950万个晶体管，采用Intel 0.25微米工艺技术制造。
2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，高性能台式电脑可以实现每秒22亿次循环操作。它使用英特尔的0.13微米工艺技术生产，包含5500万晶体管。
2003年3月12日：英特尔Centrino移动技术平台诞生于笔记本电脑，包括英特尔最新的移动处理器英特尔奔腾M处理器。该处理器基于一种新的移动优化微体系结构，使用英特尔的0.13微米工艺技术生产，包含7700万个晶体管。
2005年5月26日：英特尔的第一个主流双核处理器，英特尔奔腾D处理器，诞生于使用英特尔领先的90 nm工艺技术生产的2亿2999万9999个晶体管。
2006年7月27日：英特尔酷睿2双核处理器诞生了。该处理器包含超过2.9亿个晶体管，采用英特尔65纳米制程技术，在世界上几个最先进的实验室中生产。
2007年1月8日：为了将四核PC的销售扩大到主流买家，英特尔发布了英特尔酷睿2四核处理器和另外两个四核服务器处理器，用于台式计算机，处理能力为65纳米。英特尔酷睿2四核处理器包含超过5.8亿个晶体管。
