1. 光刻机做cpu
GPU和CPU芯片都是通过光刻机生产的，其主要区别主要是功能的不同。CPU主要是电子产品的大脑，它可以协调与控制机器整体的效能，最早的CPU是将影像处理、声音处理等集成在一起共通控制机器的运转的。随着技术的发展和大家对机器某些性能的要求不断提高，特别是手机玩家对于游戏及拍照要求的提升，单纯依附于CPU的基础处理能力已无法满足使用要求，因此，在集成时将其相应性能模块单独制作成芯片执行单独的功能，GPU就是这样产生的，单从生产工艺上讲，其都需要光刻机在硅晶圆上进行雕刻。
2. 光刻机做CPU的速度
对于半导体芯片而言，在芯片上面所集成的元件数量越多，其实现的功能也就越多。摩尔定律一直在推动着芯片的高度集成化！
摩尔定律：集成电路上所容纳的元件数量每18个月就会翻一番。
华为Mate40系列智能机搭载着麒麟9000，5nm制程芯片，集成了153亿个集成电路。也就是说CPU芯片的集成度越高，其实现的性能就越优越，其体积也就越小，性价比也就越高。
那么对于5nm中的纳米究竟是谁的尺寸呢？5nm究竟有多大，让我们一起来看看纳米的世界。
一个CPU如果用显微镜来观察，你会发现一座座排列整齐，类似城市布局的奇特现象，那这些鬼斧神工是如何实现的呢？
大家最近都知道制约我们芯片发展的不是设计技术，而是生产设备“光刻机”。这里会涉及到激光，利用激光直径小的原理轻而易举的实现了芯片内部电路的布局。纳米其实就是激光的直径。激光越小，所能画的电路也就越精密，从而实现同样体积装载的晶体管数量也就越多。晶体管数量多了，那么此芯片实现的功能也就越多了，这样可以充分利用晶圆从而制作更多的芯片。
芯片体积变小，成本降低，功耗降低，而1nm=0.0000001cm，可想而知对于5nm我们根本无法辨别。可以这样说，技术精密等级可以用纳米来形容，这也就是华为麒麟9000芯片的独特之处，5nm工艺制成集成了153亿个晶体管。
3. 光刻机做一个芯片要多久
目前，中国暂时没有4nm光刻机。但5nm的光刻机生产研发已取得突破性的进展。不久的将来，我国的光刻机技术会得到更好的发展，不仅能生产出4nm芯片，还能生产出更高精度的芯片。科技造就未来，我国用科技提高自身综合实力，打破外国垄断指日可待。芯片和光刻机的共同发展，才能造就更加精彩的科技生活，智能化时代就在不远的未来。
4. 光刻机做到几纳米了
东方晶源不制造光刻机。
东方晶源并不是制造光刻机的企业，也不是使用光刻机代工的企业。东方晶源是为芯片制造工厂提供技术服务的。比如东方晶源旗下电子束缺陷检测产品（EBI），应用电子束扫描技术对硅片表面进行高分辨率成像，以提高良品率。比如（OPC）技术，可以对光刻制程精确建模，优化工艺窗口，确保良品率。制造关键尺寸检测设备（CD-SEM），通过电子束显微图像进行关键尺寸测量。
5. 光刻机做到多少nm了
90年代前半期，光刻开始使用波长365nm i－line，后半期开始使用248nm的KrF激光。激光的可用波长就那么几个，00年代光刻开始使用193nm波长的DUV激光，这就是著名的ArF准分子激光，包括近视眼手术在内的多种应用都应用这种激光，相关激光发生器和光学镜片等都比较成熟。
但谁也没想到，光刻光源被卡在193nm无法进步长达20年。直到今天，我们用的所有手机电脑主芯片仍旧是193nm光源光刻出来的。
90年代末，科学家和产业界提出了各种超越193nm的方案，其中包括157nm F2激光，电子束投射（EPL），离子投射（IPL）、EUV（13.5nm）和X光，并形成了以下几大阵营：
157nmF2：每家都研究，但SVG和尼康离产品化最近。
157nm光会被现有193nm机器用的镜片吸收，光刻胶也要重新研制，所以改造难度极大，而对193nm的波长进步只有不到25％，研发投入产出比太低。ASML收购SVG后获取了反射技术，2003年终于出品了157nm机器，但错过时间窗口完败于低成本的浸入式193nm。
13.5nmEUV LLC：英特尔，AMD，摩托罗拉和美国能源部。ASML、英飞凌和Micron后来加入。
关于EUV，我放到后面在说吧。
1nm接近式X光：日本阵营（ASET， Mitsubishi， NEC， Toshiba， NTT）和 IBM
这算是个浪漫阵营吧，大家就没想过产业化的事
0.004nmEBDW或EPL： 朗讯Bell实验室，IBM，尼康。ASML和应用材料被邀请加入后又率先退出。
这是尼康和ASML对决的选择，尼康试图直接跨越到未来技术击败ASML，但可惜这个决战应该发生在2020年而不是2005年，尼康没有选错技术但是选错了时间。尼康最重要的技术盟友IBM在2001年也分心加入了EUV联盟。
0.00005nmIPL： 英飞凌、欧盟。ASML和莱卡等公司也有参与。
离子光刻从波长来看是最浪漫的，然而光刻分辨率不光由波长决定，还要看NA。人类现有科技可用离子光刻的光学系统NA是0.00001，比193nm的NA＝0.5～1.5刚好差10万倍，优势被抵消了。
以上所有努力，几乎全部失败了。
它们败给了一个工程上最简单的解决办法，在晶圆光刻胶上方加1mm厚的水。水可以把193nm的光波长折射成134nm。
浸入式光刻成功翻越了157nm大关，直接做到半周期65nm。加上后来不断改进的高NA镜头、多光罩、FinFET、Pitch－split、波段灵敏的光刻胶等技术，浸入式193nm光刻机一直做到今天的7nm（苹果A12和华为麒麟980）。
2002年台积电的林本坚博士在一次研讨会上提出了浸入式193nm的方案，随后ASML在一年的时间内就开发出样机，充分证明了该方案的工程友好性。
随后，台积电也是第一家实现浸入式量产的公司，随后终于追上之前制程技术遥遥领先的英特尔，林博士因此获得了崇高的荣誉和各种奖项。
MIT的林肯实验室似乎不服气，他们认为自己在2001年就提出了这个浸入式方案。ASML似乎也没有在任何书面说明自己开发是受林博士启发。
其实油浸镜头改变折射率的方式由来已久，产业界争论是谁的想法在先从来不重要，行胜于言。林博士的贡献是台积电和ASML通力合作把想法变成了现实。
6. 光刻机做什么的
65nm光刻机基本能制作除手机和电脑处理器外的很多芯片。
大部分芯片其实是不需要把大规模集成电路缩小在超小空间的。2013-2020年，我国芯片市场规模不断增长，2019年中国芯片销售额为7562.3亿元，同比增长15.8%。截止至2020年中国芯片销售额为为8848亿元，较2019年增加17%。比如汽车、家用电器、自动化设备等的芯片不受空间限制。国内主要也是生产这类中低端芯片，这种市场规模远大于手机及电脑芯片。
7. 光刻机做芯片
晶圆厂不需要光刻机。
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆只是光刻机生产芯片的耗材。晶圆厂并不直接生产芯片。
8. 光刻机做的最好的国家
MDA-400M光刻机
光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；
MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。
9. 光刻机做不出来
1 麒麟9010因为没有光刻机所以制造不出来。
2 光刻机（lithography）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
3 曝光机是生产大规模集成电路的核心设备，制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握。因此曝光机价格昂贵，通常在 3 千万至 5 亿美元。
10. 光刻机做不出来是因为专利吗
工业能力是一个国家国防实力和经济实力的基础，而光刻机是现代工业体系的关键部分，不过目前荷兰光刻机是最有名的，出口到全球各国，口碑很好。那光刻机是谁发明的？主要用途有哪些呢？
1959年，世界上第一架晶体管计算机诞生，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第一个适用单结构硅晶片，1960年代，仙童提出CMOSIC制造工艺，第一台IC计算机IBM360，并且建立了世界上第一台2英寸集成电路生产线，美国GCA公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。
光刻机是集成电路制造中最精密复杂、难度最高、价格最昂贵的设备，用于在芯片制造过程中的掩膜图形到硅衬底图形之间的转移。集成电路在制作过程中经历材料制备、掩膜、光刻、刻蚀、清洗、掺杂、机械研磨等多个工序，其中以光刻工序最为关键，因为它是整个集成电路产业制造工艺先进程度的重要指标。
目前，全球最顶尖的光刻机生产商是荷兰ASML、Nikon、Canon和上海微电子（SMEE），其中ASML实力最强，因此全球多数国家都愿意去这家公司进口光刻机。
