华为此前发布了一篇介绍存储器的文章 ——《华为麒麟带你一图看懂存储器》。在文章最后华为表示，随着芯片尺寸的不断微缩，DRAM 工艺的微缩变得越来越困难，平面 DRAM 的“摩尔定律”正在逐渐走向极限，当今各大厂商都在研究 3D DRAM 作为解决方案来延续 DRAM 的使用。
多个日本媒体表示，华为将在 VLSI Symposium 2022（6 月 12 日～17 日在夏威夷举行）上发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术，进行各种有关内存的演示。
报道称，华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧 IGZO-FET（由 In、Ga、Zn、O 组成的透明氧化物）材料的 CAA（Channel-All-Around）构型晶体管 3D DRAM 技术，具有出色的温度稳定性和可靠性。
IGZO 是一种不算陌生的氧化物，早在 2004 年就由东京工业大学的细野教授发现并发表在《自然》杂志上。
▲ CAA 型 IGZO FET 垂直截面 SEM 图像和 EDX 可视化元素分布
除华为之外，日媒还表示 IBM、三星、英特尔、Meta、斯坦福大学、乔治亚理工学院等都将提出存储领域的新突破。
华为此前已在存储领域进行深度研究，此前就表示要针对数据存储领域关键根技术进行突破。
【来源：IT之家】【作者：问舟】
