存储器分为内部存储器和外部存储器（或主存储器和辅助存储器）。内存叫做内存，它也可以被称为内存。从广义上讲，只要是在PC机可以很容易地失去了记忆，记忆，如记忆、二级高速缓存存储器等。也被称为核心，主要由一些非易失性存储器，如硬盘、光盘、U盘、记忆卡等。
作为数据仓库的临时存储器，一方面要从外部存储器读取可执行文件和所需数据，另一方面也要对CPU服务进行读写操作，因此内存的快速存储直接影响到PC机的速度。
原则一章
记忆工作原理
1。内存寻址
首先，从CPU的数据存储器访问指令，然后找出访问位置（这个动作称为寻址；；），它首先设置横坐标（即列地址）然后设定坐标（也被称为；这就像地址；）在地图上，画一个十字标记，非常准确地确定这个地方。计算机系统，找到的地方也要确定位置是正确的，所以信号还必须解决计算机解释的横坐标，横坐标的信号（RAS信号，行地址选通）信号是纵坐标（即CAS信号，柱地址选通），最后读或写的动作。因此，内存必须阅读并写至少五个步骤：一是画交叉（在固定地址内，两个操作，读取两个信号，四个操作），或读或写操作，从而完成内存访问操作。
2。存储器存储数据的传输，或者从存储器读取数据，CPU将为读或写数据的地址（交叉编址，我们说模式），这个时候，CPU会通过地址总线（地址总线）将被发送到内存中的地址，然后数据总线（数据总线）将正确的数据对应的微处理器，返回到CPU。
三.访问时间称为访问时间，是指CPU读写内存数据的过程时间，也称为总线周期（总线周期），以读取为例，当从CPU发出指令到内存时，要求内存占用特定地址的特定数据。记忆后对CPU，它将由CPU CPU所需的数据，直到CPU接收数据，它将成为一个阅读的过程。作为一个结果，整个过程是简单的过程，CPU发出读取指令，记忆回复，和丢失的数据到CPU，6ns（纳秒，9）我们常说的是花在上面的过程中，与NS是时间单元操作过程的计算，我们通常使用访问时间的倒数来表示速度，例如，为6ns内存的实际频率是1 / 6ns = 166mhz（如果是DDR333 DDR，DDR2是DDR2 667）。
4。内存延迟
内存的延迟时间（也称FSB DRAM潜伏期）如下：FSB和芯片组之间的延迟时间（±1个时钟周期），DRAM芯片组之间的延迟时间（±1个时钟周期），RAS CAS RAS（2-3：延时一个时钟周期的应用确定CAS的正确地址（2-3），延迟时间的时钟周期，以确定正确的列地址），另外的1个时钟周期来传送数据，由芯片组从DRAM缓存数据输出到CPU的延迟时间（+ 2个时钟周期），内存延迟的一般描述包括CAS四参数（列地址选通地址控制器（行地址选通RAS）延迟，列地址控制器）- CAS延迟，RAS Precharge（RAS预充电E电压）的延迟，起到预充电（相对于沿读时钟延时的数据），CAS延迟更重要的是，它反映了从接收指令的传输结果完成在记忆过程中的延迟。你通常看到的3mdash数据；3mdash；3mdash；6，第一参数是CAS延迟（CL = 3）。当然，慢的延迟，就越快。
两。文本的出现
由于笔记本电脑的空间设计要求，笔记本内存比桌面内存要窄。通常采用SO-DIMM模块规格，布线紧凑，销也是标准200pin。记忆中我们经常看到在内存中，一般的部件是内存颗粒、电路板、SPD芯片、电阻（端阻力）和销。让我介绍他们分开。
1。颗粒
存储器的晶粒是人们通常在存储器中看到的集成电路块，粒子是存储器的主要组成部分，而粒子的性能在很大程度上取决于存储器的性能。普通粒子有以下参数。
A.制造商
内存芯片类型
内存芯片类型分为SDRAM、DDR SDRAM、DDR II SDRAM。
SDRAM、DDR SDRAM和DDR SDRAM都在同一个门上，都属于SDRAM系统，所以三者的粒子在外形上不易区分，但由于物理技术的不同，三者在电路、延时和带宽方面有很大的不同。一般来说，三种不同的粒子都是关于粒子参数或引脚和间隙的。在那之后，我将着重讨论复员方案和复员方案II技术。
C.存储过程和SDRAM内存的工作电压是由CMOS工艺，有很多工作记忆和JEDEC的内存芯片电压型（联合电子设备工程委员会电子元件行业协会）在规范中，SDRAM的工作电压为3.3V，2.5V的DDR，DDR II 1.8v。
芯片密度、宽度和刷新率
该芯片的密度一般是表示点（1B = 8bit），例如，16mbit是16mbitdivide，8bit = 2MB可以看作是单芯片是2MB的。另一个参数是SDRAM的线的宽度为64bit，粒子数（一般）64bit是不一样的。例如，一个芯片是4bit，所以你必须使用相同的16芯片来弥补64bits。如果芯片为16bit，它只需要4。例如，256MB的内存可以由512bitsdivide，8倍，4 = 256MB，4次，和16位= 64位，一般表示为512mbitstimes，16bit或64mbtimes，16位。刷新速度，内存条是由一个电子存储单元和刷新过程可以为存储单元，通过柱排列在芯片的刷新率指的是更新的列数。两种常用的刷新率是2K和4K，2K模式可以刷新大量在一定时间内的存储单元，并以更短的时间，所以用2K的发电量大于4K，4K模式使用较慢的时间刷新较少的存储单元，但它采用了特别设计的SDRAM具有自动刷新功能，不用CPU或外部刷新电路就能自动刷新，自动刷新内置DRAM，降低了电能消耗，广泛应用于笔记本电脑。
E.银行
记忆的银行一般分为物理和逻辑实体银行银行。银行是反映在SDRAM内存模块，银行号表示物理内存的内存数量。（相当于 /排）。逻辑银行代表一个SDRAM器件内逻辑库数。（现在通常是4行）。此外，对于主板，它也代表了DIMM连接槽或槽组，如银行0、银行A银行这里是内存插槽的计算单元，这是计算机系统和存储器之间的数据总线的基本单位。只有插入银行，电脑可以打开机器正常。例如，1 SDRAM线银行64位，和很久以前的EDO内存是32位，必须安装到正常工作的两个内存中。银行号在主板上的银行0从开始，必须插入银行0才能启动，银行插槽在升级后1天使用扩展内存。
F.电气接口类型，例如通用电气接口类型对应的内存类型，SDRAM，DDR sstl_3（3.3V）是sstl_2（2.5V），DDR II sstl_18（1.8V）。
记忆的包装现在很常见。有两种封装：两种BGA、TSOP、BGA封装分为FBGA，亩，BGA，TinyBGA（胜创）等，TSOP分TSOP I和胜创ii.bga封装的芯片面积小的特点，可降低PCB板面积和热值比较小。但专用焊接设备是必要的，不可以是手工焊接，BGA封装的芯片一般需要多层PCB板布线，需要的成本。此外，BGA封装还具有很多优点，如易于芯片安装，更好的电气性能、低传输延迟、高频率的操作和优良的散热。它已成为DDR II官方选择。和TSOP封装技术比较成熟，成本低，缺点是频率越来越难以提高，体积较大，比BGA更热。
H.速度和延迟
一般的内存速度是表示频率。例如，我们经常看到SDRAM DDR DDR II 133，266，533的实际物理工作频率为133MHz，但使用不同的技术，在2倍或4倍的速度运行的等效理论，有一个速度的表示方法代表一般的脉冲周期的速度，其次是满意的。1 / 133mhz = 7ns，例如，显示存储器的脉冲周期7ns。内存延迟我之前说的，参数一般是4，也有用3，数字越小，延迟更小，更快的速度。
工作温度：工作温度：工业正常温度（- 40 - 85度）；膨胀温度（- 25 - 85度）
2。电路板
电路板，又称印刷电路板，是印刷电路板的基础上，由多个导体和绝缘体层板。在电路图电路蚀刻在他们身上，然后将电子元件焊接。因为所有存储元件焊接在电路板上，电路电路板布线是决定内存稳定性的一个重要方面。根据英特尔的规范，DDR内存必须使用6层PCB版，以确保存储器的电气功能和操作稳定性，建议您购买公司产品，不要使用来历不明的山寨货。
3.spd和SPD芯片
社民党（串行存在检测）mdash；串行存在检测SPD是一个8针的EEPROM（电可擦除可编程只读存储器的电子可擦除可编程只读存储器类型），256个字节的~ 2kb能力，主要是相关的信息，如容量、内存、内存模块厂商、芯片厂商、工作速度、是否有ECC检查。SPD的内容一般由内存模组制造商写的。主板支持社民党在启动过程中自动检测数据的SPD和设置内存工作参数。PC机的BIOS将自动读取记录在SPD在机器上的信息，如果没有SPD，这可能是死亡或致命的建议。你用SPD芯片买内存。
4。排阻
排斥，也被称为端阻力（finator），是在DDR memory.ddr记忆更重要的硬件要求高的工作环境。如果以前的信号不能被完全吸收的线路终端，这将形成对电路的反射现象，这会影响后续的信号，导致操作错误。因此，DDR主板是目前由端阻力，解决这一问题的使用支持。因为每个数据线需要的阻力至少有一个结束，这意味着每个DDR板需要终端电阻大，增加了主板的生产成本上，但由于不同端电阻存储器模块的要求不可能完全一样，也造成了所谓的内存；兼容性；。由于在finators的DDR II内部整合，这一问题已完美地解决了。
5。销（销）
销销是在记忆手指的金属接触点，因为不同的内存的引脚是不同的，脚也要区分不同种类的内存从外观的主要途径。内存引脚分为积极和消极的方面，如笔记本DDR内存是200pin，然后积极正负引脚两边200divide；2 = 100.in之外，一些大工厂的金手指采用先进的电镀技术，和镀金层纯正，有效提高抗氧化性。内存工作的稳定性是有保证的。
三。技术文本
1.ddr和DDR II技术
DDR技术
DDR SDRAM是双倍数据速率的缩写（双倍数据速率）的SDRAM。正如你可以看到的名字，这种存储器SDRAM技术的一个不可分割的关系。事实上，DDR内存是一个增强版本的SDRAM memory.ddr采用了更先进的同步电路，指定的地址、传输和数据输出主要步骤是独立的，完整的同步CPU；DDR的DLL（延迟锁相环，延迟锁定回路提供一个数据信号滤波）技术，当数据有效时，存储控制器可用于数据准确定位数据滤波信号，输出各16次，并从不同的内存模块data.ddl重新同步基本不需要增加C锁定频率加倍SDRAM的速度。它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据。理论上，原来的工作频率可以产生2倍的带宽，DDR内存相同的速率比SDR内存的两倍，可以简单理解为133mhz DDR = 266mhz SDR，DDR SDRAM的大小不是完全不同的，它们具有相同的尺寸和相同的针距。DDR内存使用，支持2.5V电压sstl2标准，不是由SDRAM采用3.3V电压的LVTTL标准。但DDR有其自身的局限性对mdash；DDR SDRAM是并行技术的基础上修改和干扰的固有特性没有得到任何改善，特别是随着工作频率的提高和数据传输速度，两者之间的信号干扰E总线将导致系统的不稳定带来灾难性的后果；反过来，信号干扰也制约着内存频率增加mdash；mdash；当发展DDR400规范的核心芯片的工作频率为200MHz，这个数字的速度限制是非常接近的DDR，只有那些品质可以在200mhz粒子稳定的工作，因此，DDR II标准已成为进一步提高存储解决方案的速度。
DDR II技术
DDR II有三大创新技术相对于DDR，4位预取（DDR是2位），在CAS，ODT，FBGA封装、CSP封装。解释预取的概念，我们必须谈谈内存的频率，通常叫你，内存频率实际上是一个总说记忆频率应分为三类：数据频率、时钟频率和DRAM核心频率，频率是指数据存储模块和系统之间数据交换的频率。时钟频率是指存储器的频率和系统的协调。DRAM核心频率指的是DRAM器件的工作频率，它是内存本身只有相关和不受任何外界因素的影响。SDRAM，三在数量上是相同的，这是数据频率的时钟频率= =核心频率；DDR技术并非如此，它将发送一个时钟周期的两个数据，数据频率等于两倍的时钟频率，而且核心频率等于时钟频率。由于数据传输频率增加一倍（数据传输量，同时，双）内部核心的频率并没有改变，这意味着DDR芯片必须在第一个周期的供应双数据，是以两预称为实现这一任务（2B它完美的）；4 DDR以2。这种技术的原理是增加DRAM存储矩阵的宽度（两次），所以在一个时钟周期内可以传输（四）倍的数据，这些数据然后转换为宽度的1／2（1 / 4）这两个数据流，分别从每个时钟周期的上升沿和下降沿发送出去。贴贴cas CAS：DDR II引入；函数解决带宽利用率低的问题，所谓发CAS，指CAS（读/写命令）提前几周期，直接插入在Ras信号时钟周期，所以CAS命令可以在随后的几个周期，但是有效，读/写操作不是那么早，总德lay time has not changed.The advantage of this signal can completely avoid the conflict and improve the efficiency of memory usage, but it is only in the read and write very frequently under the environment to be reflected, if ordinary application, Posted CAS function but will increase the read delay, the decline in the performance of the system, so we can according to the needs, through the BIOS Posted CAS function (open or close close the working mode of DDR II and DDR on the same condition).The chip integration terminator improves the stability of memory work and enhances the compatibility of memory.FBGA encapsulation and CSP encapsulation, although encapsulation can not directly determine the performance of memory, but it is critical t啊，memory.fbga封装的稳定性是DDR II官方的选择，和FBGA属于BGA（球栅阵列系统，球栅阵列封装），已经说过，CSP封装最大的特点就是包的地区是非常接近的芯片面积。它们之间的比例仅为1.14:1。这也是芯片封装技术，是最接近1∶1.in这种方式，更多的内存芯片可以容纳在同一模块，有利于模块的整体能力。
2。双通道内存控制器技术
所谓双通道DDR，在一个简单的方法，就是芯片组能够读上两个不同的数据通道的数据。两个内存通道独立工作于两平行独立的64位内存控制器位宽，让普通DDR内存可以如果DDR333实现128位接口，双通道技术可以实现ddr667效果，内存带宽大幅增加一倍。双通道DDR内存控制器的两64bit。采用双64bit存储系统提供的带宽等于由128Bit显存系统提供的带宽，但两者的效果是不同的。双通道系统包括两个独立的和互补的智能存储控制器，两个内存控制器可以零时间等待彼此之间同时操作。例如，当控制器B是准备为下一次内存访问控制器的读/写主内存，反之亦然。这两个内存控制器补充自然的有效等待时间可以减少50%，而双通道技术使内存的带宽翻了双通道。DDR内存控制器完成两在相同的功能，并对这两种控制器的时序参数可编程的灵活性individually.dimm存储器允许用户使用三种不同的结构，容量，速度，双通道DDR简单地调整密度最低，实现128bit DIMM内存带宽，允许不同密度/等待时间特性的可靠工作。的双通道DDR技术性能的提高是显而易见的，而DDR266可以提供的2.1gb / s的带宽，而双通道DDR266提供的4.2gb /通过类比的带宽，双通道DDR333和DDR400可以达到5.4gb / / S和6.4gb
3.cpu集成内存控制器技术
这是AMD公司提高CPU和内存性能的技术，该技术是一种北桥的内存控制器集成到CPU的技术，这种技术的使用，使原来的过程中，CPU -北桥-记忆三方数据传输直接简化为单个项目的CPU和内存之间传输技术，并减少延迟，提高记忆效率。这样做的目的是在北桥的体系中解放出来，大家都知道，显卡是通过北桥的数据传输到CPU，虽然在geforce256时代早期会有一个GPU的说法，但现在随着游戏的进展，华丽的画面，大量的数据仍然需要CPU做辅助加工。这些数据向CPU的传输必然要经过北桥系统。因为AMD64位系统集成内存控制为主要业务，北桥用更少的压力，能更好的服务于图形卡。此外，缺少中间环节，与内存和CPU之间的数据交换更流畅。但这种技术有一个缺点，当新的存储技术的出现，它必须取而代之的是CPU支持它。这增加了无形的成本。
4。其他技术
a.ecc记忆
全称是错误检测与纠正。这也是在原来的数据实现放置位置。8位数据，1位是校验测试和5位ECC要求，以及额外的5位是用来重建错误的数据。当数增加了一倍的数据位数，校验也翻了一番，而ECC只加一点，和ECC和奇偶校验位时使用的数据是64位的数量是一样的。在地方，奇偶校验只能检测错误，ECC可以纠正大多数错误。如果工作是正常的，你不会找到你的数据故障，只有在内存纠错，计算机的操作指令可以继续执行。当然，系统的性能明显降低，肺安装误差，但这种误差校正是非常重要的服务器和其他应用程序。ECC存储器的价格比普通存储器贵得多。
b.缓冲存储器
（联合国）缓冲存储器，（不）一个缓存，缓存可以将信号两次通过存储器芯片和允许更多的内存芯片被放置在内存条。缓存的内存条不能混合内存条没有缓存。计算机的内存控制器结构的确定缓存内存的计算机上还没有的高速缓存内存。
四、总结文章伴随着PC产业的发展，发展的内存对速度更快，功耗更低，低成本的方向发展，老一代的DDR内存更是面临新的技术挑战，无论是DDR II，或Rambus XDR，通过QBM有一定的竞争力的。一个普通的用户，我们更关心的是技术成熟、性价比高的产品。因为原来的内存的扩展比其他硬件更容易，建议增加在资金允许的范围内的记忆能力。特别是，对集成显卡的原始版本也可以认为是升级到双通道提高显卡的性能和系统作为一个整体。
1。构成双通道的条件是什么。
首先，双通道内存需要主板或CPU集成的双通道内存控制器。其次，需要两个内存槽。正如我之前提到的，一个DDR SDRAM插槽是64位。形成128bit双通道，必须要有两个内存插槽。第三，强调的是对内存的要求，英特尔官方文件形成一个双通道内存有严格的限制，必须具有相同的结构，相同的能力（如单面和双面内存或粒子，每个粒子数的宽度等参数必须相同），同一品牌（不同品牌的内存SPD信息可以存储不同）。当然，这仅仅是英特尔的要求，保证了双通道的正常运行。事情都不是绝对的，会有一些其他的组合，如果你有这方面的经验，您可以返回到交换。
2。如何升级内存。
笔记本内存升级原理可以说：汉兵越多越好。然而，有几个问题需要考虑。
类型：由于DDR和DDR II引脚定义不同，工作电压不同，所以不能插入，否则内存或内存槽将被烧毁。
能力：尽量选择大容量的，如果不是双通道，尽量选择一个超过512mb。
速度：首先要考虑芯片组的规格，尽量满足芯片组购买，其次最大的要求，确保两个内存频率是相同的，如果原来的内存是DDR266，DDR333内存买只能运行在频率DDR266，不能发挥真正的性能。
结构：从理论上讲，既有膨胀性、稳定性和兼容性，单体结构也比双结构稍好一点。考虑到发热值，单面内存小于双面，单双面内存本身不好也不差，差别也很小。同容量的产能高于双面集成，生产日期更可靠。
PS：关于每个芯片组内存控制器的规格，请看一下笔记本的主流芯片组。
内存升级问题也可以作为笔记本电脑内存更新的参考！
三.如何识别记忆粒子。
因为没有比较统一的标准，不同厂家的颗粒是不一样的。我会给你一些常见的百度搜索结果的颗粒制造商，你可以看到它根据你的需要。
海力士（现代电子）
三星电子（三星电子）
微观（梅光）
英飞凌（应飞玲）
胜创（胜创）
金邦（金邦）
摩泽尔河（台湾茂）
Nanya（南亚）
宇瞻（宇瞻）
V（a）-数据（威刚）
