内存频率为MHz，与我们常见的DDR3内存频率1066MHz、以及1333MHz，1600MHz，2000MHz，等等。
众所周知，计算机的时钟速度是计算机的频率，决定时钟速度的关键是晶体振荡器的振动规律，晶体振荡器产生的电流也是时钟信号。
内存中没有时钟发生器，所以时钟操作所需的时钟信号是由主板上的时钟发生器提供的，即内存不能控制自己的频率，但必须由主板决定。
有三种形式的内存频率，核心频率，工作频率和等效频率，工作频率是三个频率总结最重要的属性，它直接代表内存颗粒的实际频率，DDR3 1066核心频率为133MHz，和DDR3 1333核心频率166mhz。DDR3 1600的核心工作频率为200MHz，与DDR3 2000的核心频率是266mhz。
理解核心频率，就可以计算出内存的工作频率，因为DDR内存的工作原理是上升和下降沿传输数据，同时，在相同的时钟周期，记忆可以在同一时钟周期传输数据，这是DDR存储器的名称的由来。
因此，DDR内存的工作频率是核心频率的两倍，也就是说，对DDR3-1333核心频率为166，其工作频率是333MHz。
我相信现在有些球员会感到疑惑。由于DDR3的核心频率为266MHz，工作频率可达533MHz，现在所谓的DDR3 2000mhz频率是什么
事实上，我们常说的ddr3-1066，DDR3-1333，ddr3-2000和频率是内存的等效频率，是由价值决定的阅读记忆。
我们知道，DDR 400，DDR2 800和DDR3 1600核心频率为400MHz，它们之间唯一的区别是三预读取之间，预读值DDR内存是2，提前读值的DDR2内存是4，提前读值的DDR3达到8，也就是说，在同一时期只有上升和下降沿数据传输的DDR内存，而DDR2周期减少到DDR 1代 / 2，同时DD2存储器有两上升，两年下来，这是输出传输等4次，DDR3可以同时传送8个数据，
DDR存储器的等效频率是核心频率乘以读取值。
除了内存频率，玩家通常需要改变内存的延迟当超频。在需要数据存储之前需要内存。准备时间是内存延迟。
目前，内存延迟通常是由4个数字来表示，如8-8-8-24，这是常用的DDR3内存。从理论上讲，如果频率相同，内存延迟越小，内存性能越高。
在4个内存延迟数中，第一个数字是我们经常调用的CL值。它指的是内存与数据正式开始传输数据的时间。一般认为，这个值是内存延迟值的最重要部分。
第二个数字是行地址控制器预充电时间（RAS预充电），即，色氨酸。它是指在结束行地址后重新启动内存之间的间隔。
第三个数字表示行地址访问的列地址访问内存的转换之间的间隔，和英语（一CAS Delay），即出现。
第四号是内存行地址控制器激活所需的时间，和英语是作为Precharge Precharge Delay（TRAS）。
为了理解内存延迟的概念，我们可能认为内存是一种大的形式。为了获得一定的数据，我们需要确定行和列的数目。在运行时，内存将首先传输数据的行和列地址。首先，它由行地址信号激活。经过几个周期后，列地址信号被激活，最后得到唯一确定的数据。
虽然CL中的所有延迟都对内存的数据传输速度有很大的影响，但当我们研究存储器性能时，我们不能知道CL值。只有减少所有的延迟，才能显著提高记忆性能。
除了降低工作频率的延迟值会缓慢的内存，所以超频玩家，提高内存的延迟值，可以使内存工作在更高的频率，从而获得更高的CPU外频。
细心的玩家可能会注意到，现在的DDR3内存有pc- xxxxx标志，但其大部分玩家不了解电脑。事实上的价值，在PC的值代表的内存带宽。
早在DRAM的时代，当记忆被标记，后面的数字是该电脑的内存，频率为例，由Pc-133内存频率为133MHz。根据这一规律，1600MHz的DDR3内存版本现在被称为pc-1600，但是为什么内存制造商改变频率带宽原因是针对当年Rambus内存。
当DRAM的频率保持在133MHz，但Rambus已达1066MHz RDRAM内存标准频率最高，可以说具有划时代的意义，但是，由于对RDRAM的生产需要昂贵的授权费用，和新老存储平台是不完全符合最终的DDR内存RDRAM的彻底退出了历史舞台。
DDR内存刚推出时，RDRAM内存的最高频率可达1066MHz、所以常用pc-800数，pc-1066等等，但在原有的DDR内存频率只有200MHz或为26MHz、如果你使用原来的数量明显pc-200或pc-266和RDRAM明显形成了鲜明的对比。
为了不失去记忆的标签，一些内存厂商开始使用内存带宽的更换频率在PC在原来的编号系统，DDR2 667内存的最后一只667mhz频率标记的pc-5300。
对于目前的DDR3内存，其工作频率乘以8是带宽，即对工作频率1333MHz内存带宽是10666，即pc-10666。
对于存储器来说，电压也是一个很重要的参数，原因很简单。当频率相同时，工作电压越低，内存质量越好。电压越高，电压越高，电压越高，记忆就越稳定。
低电压内存超频玩家的最爱。电压低于标准设计的内存。为了提高频率，可以提高电压适当，无需担心内存被烧毁，通常，增加电压，保证超频后的内存的稳定性。
此外，低电压内存的另一个优点是节能，DDR2内存的标准电压为1.8V，而DDR3内存的标准电压是1.5V，而记忆本身功耗不高，但仍低电压可以有效地降低功耗，低碳环保理念与当今倡导的非常一致。
